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项目名称：2019年中国科学院半导体研究所科研仪器设备采购项目（第三批）
项目编号：OITC-G190330983
采购单位联系方式：
采购单位：中国科学院半导体研究所
地址：北京市海淀区清华东路甲35号
联系方式：010-82304941/010-82304907
代理机构联系方式：
代理机构：东方国际招标有限责任公司
代理机构联系人：010-68290507
代理机构地址：北京市海淀区清华东路甲35号
采购详情如下：
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包号 |
货物名称 |
数量（台/套） |
是否允许进口 |
预算（万元） |
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1 |
厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台 |
1 |
是 |
398 |
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2 |
硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机 |
1 |
是 |
505 |
各设备工艺技术规格详情：
厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台
(1)氧化硅薄膜沉积
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*3.15.1.1折射率（1550nm下测量） |
1.44-1.52可调 |
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#3.15.1.2折射率均匀性 |
< +/-0.01 |
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#3.15.1.3折射率重复性 |
< +/-0.01 |
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*3.15.1.4厚度 |
＞20μm |
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3.15.1.5样品尺寸 |
3英寸 |
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3.15.1.6沉积速度 |
> 1500A/min |
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#3.15.1.7片内厚度均匀性 |
< +/-3% |
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3.15.1.7片与片厚度均匀性 |
< +/-5% |
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3.15.1.9硅的应力 (以1微米薄膜厚度测试) |
< -300MPa 压应力 |
(2)氮化硅薄膜沉积
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#3.15.2.1折射率（1550nm下测量） |
1.8-2.2可调 |
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#3.15.2.2折射率均匀性 |
< +/-0.01 |
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3.15.2.3折射率重复性 |
< +/-0.01 |
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3.15.2.4沉积速度 |
> 200A/min |
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3.15.2.5样品尺寸 |
3英寸 |
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#3.15.2.6片内厚度均匀性 |
< +/-3% |
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3.15.2.7片与片厚度均匀性 |
< +/-5% |
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3.15.2.8硅的应力 (以1微米薄膜厚度测试) |
< 100MPa 伸应力 |
硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机
（1） 铌酸锂刻蚀工艺
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3.15.1.1刻蚀材料 |
铌酸锂 |
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3.15.1.2刻蚀结构 |
线宽100nm-1μm波导 |
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3.15.1.3掩膜 |
>200nm厚Cr硬掩模。 所有刻蚀掩膜必须为挺直，侧壁角度>80° |
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3.15.1.4曝露面积 |
＞80% |
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3.15.1.5刻蚀深度 |
300-700nm |
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3.15.1.6刻蚀速度 |
>30nm/min |
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*3.15.1.7片内刻蚀深度均匀性 |
<±3% |
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#3.15.1.8片与片刻蚀深度均匀性 |
<±5% |
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*3.15.1.9对应硬掩模选择比 |
>5:1 |
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*3.15.1.10侧壁倾角 |
>75° |
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*3.15.1.11侧壁粗糙度 |
＜10nm |
（2） 氧化硅刻蚀工艺
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3.15.2.1刻蚀材料 |
氧化硅 |
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3.15.2.2刻蚀结构 |
线宽5-10μm波导 |
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3.15.2.3掩膜 |
>3um厚PR。 所有刻蚀掩膜必须为挺直，侧壁角度>80° |
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3.15.2.4曝露面积 |
<15% |
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3.15.2.5刻蚀深度 |
6-15um |
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3.15.2.6刻蚀速度 |
>3000A/min |
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#3.15.2.7片内刻蚀深度均匀性 |
<±3% |
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#3.15.2.8片与片刻蚀深度均匀性 |
<±5% |
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3.15.2.9对应光刻胶选择比 |
>3:1 |
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3.15.2.10角度 |
>85° |